Verfahren zur Herstellung eines Sensors mit zumindest einer mikromechanischen Struktur

Beschreibung: Die Erfindung betrifft einen Sensor mit zumindest einer mikromechanischen Struktur auf Siliziumbasis, die in einem Sensorraum eines Grundwafers integriert ist, und zumindest einer den Grundwafer im Bereich des Sensorraumes abdeckenden Abdeckung sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Sensors. Es ist vorgesehen, dass beim erfindungsgemäßen Sensor die Abdeckung aus einer für ein Ätzmedium und die Reaktionsprodukte transparenten ersten Schicht (Abscheideschicht) und einer darüber liegenden hermetisch dichtenden zweiten Schicht (Abdichtungsschicht) besteht und dass beim erfindungsgemäßen Verfahren zumindest der im Grundwafer nach Etablierung der Struktur vorhandene Sensorraum mit einem Oxid, insbesondere CVD-Oxid oder porösen Oxid, gefüllt wird, der Sensorraum mit einer für ein Ätzmedium und die Reaktionsprodukte transparenten oder nachträglich transparent gemachten ersten Schicht (Abscheideschicht), insbesondere aus Polysilizium, bedeckt wird, das Oxid in dem Sensorraum durch die Abscheideschicht hindurch mit dem Ätzmedium entfernt wird und anschließend eine zweite Schicht (Abdichtungsschicht), insbesondere aus Metall oder einem Isolator, auf die Abscheideschicht aufgebracht wird, die den Sensorraum hermetisch abdichtet.

PS 199 64 638.4 – B81B 3/00. AT 21.12.1999; OT 22.03.2012; PT 29.08.2013. Anm.: Robert Bosch GmbH, 70469 Stuttgart, DE. Erf.: Bischopink, Georg, Dr., 72124 Pliezhausen, DE, Baumann, Helmut, Dr., 72810 Gomaringen, DE, Artmann, Hans,, 71106 Magstadt, DE, Henning, Frank, 72766 Reutlingen, DE, Pinter, Stefan, Dr., 72762 Reutlingen, DE, Reichenbach, Frank, 72760 Reutlingen, DE, Offenberg, Michael, Dr., 72138 Kirchentellinsfurt, DE, Laermer, Franz, Dr., 70437 Stuttgart, DE.

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