Herstellungsverfahren einer hängenden MEMS Struktur

EP 60 2006 035 258.1 – B81C 1/00. AT 08.08.2006; OT 29.03.2007; PT 27.03.2013. Anm.: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., Atsugi-shi, JP. Erf.: Tateishi, Fuminori, Atsugi-shi Kanagawa-ken 243-0036, JP, Yamaguchi, Mayumi, Atsugi-shi Kanagawa-ken 243-0036, JP, Izumi, Konami, Atsugi-shi Kanagawa-ken 243-0036, JP.

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