MEMS-Vorrichtung mit Stressisolation und Herstellungsverfahren dafür

WP 60 2010 025 469.0 - B81B 7/02. AT 24.06.2015. Anm.: Freescale Semiconductor, Inc., Austin, Tex., US. Erf.: Geisberger, Aaron A., PhoenixArizona 85044, US.

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