Verfahren zur Herstellung integrierter Mikrosysteme
Beschreibung: Es wird ein Verfahren zur Herstellung integrierter Mikrosysteme, die Silizium-Germanium-Funktionsschichten, germaniumhaltige Opferschichten und offene Metallflächen aufweisen, beschrieben. Die germaniumhaltigen Opferschichten werden hierbei in einer Ätzlösung wenigstens teilweise entfernt, wobei ein pH-Wert der Ätzlösung während des Ätzverfahrens mit einem Puffer wenigstens annähernd neutral gehalten wird.
PS 102 30 252.9 – B81C 1/00. AT 04.07.2002; OT 22.01.2004; PT 17.10.2013. Anm.: Robert Bosch GmbH, 70469 Stuttgart, DE. Erf.: Frey, Wilhelm, Palo Alto, US, Laermer, Franz, 71263 Weil der Stadt, DE, Duenn, Christoph, 70839 Gerlingen, DE.