Halbleitersensor für eine dynamische Größe mit Selbstdiagnosefunktion

Beschreibung: Wenn bewegliche Elektroden von Balkenanordnungsstrukturen in einer Richtung senkrecht zur Oberfläche eines Trägersubstrats in ersten und zweiten kapazitätsbildenden Abschnitten durch Einwirkung einer Beschleunigung verschoben werden, während Trägerspannungen angelegt sind, wird die Differenz zwischen einer ersten Kapazität und einer zweiten Kapazität von dem Trägersubstrat durch einen dritten kapazitätsbildenden Abschnitt ausgegeben. Bei einer Selbstdiagnose wird ein Spannungsanlegungsgegenelektrodenabschnitt eines selbstdiagnosefestkapazitätsbildenden Abschnitts auf ein erstes Potential eingestellt, und ein Signalausgangsgegenelektrodenabschnitt des dritten kapazitätsbildenden Abschnitts wird auf ein zweites Potential eingestellt, das sich von dem ersten Potential unterscheidet, wobei das Potential des Trägersubstrats, das der festen Elektrode in den ersten und zweiten kapazitätsbildenden Abschnitten entspricht, erzwungenermaßen geändert wird.

PS 10 2005 024 630.3 – B81B 7/02. AT 30.05.2005; OT 29.12.2005; PT 27.02.2014. Anm.: DENSO CORPORATION, Kariya-city, JP. Erf.: Sakai, Minekazu, Kariya, JP.

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