Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Sensorelements
Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Sensorelements bzw. ein insbesondere durch ein derartiges Verfahren hergestelltes mikromechanisches Sensorelement, welches einen Hohlraum bzw. eine Kaverne und eine Membran zur Erfassung einer physikalischen Größe aufweist. Dabei ist vorgesehen, dass zur Herstellung des Sensorelements verschiedene Verfahrensschritte durchgeführt werden, wobei u. a. eine strukturierte Ätzmaske mit einer Vielzahl von Löchern bzw. Öffnungen auf ein Halbleitersubstrat aufgebracht wird. Weiterhin ist vorgesehen, dass durch einen Ätzvorgang unterhalb der Löcher in der strukturierten Ätzmaske Vertiefungen im Halbleitersubstrat erzeugt werden. Anschließend wird eine Anodisierung des Halbleitermaterials durchgeführt, wobei vorzugsweise die Anodisierung, ausgehend von den erzeugten Vertiefungen in dem Halbleitersubstrat, stattfindet. Dabei entstehen unterhalb der Vertiefungen poröse Bereiche, wobei zwischen den porösen Bereichen bzw. den Vertiefungen eine gitterartige Struktur aus unbehandeltem, d. h. nicht anodisiertem, Substratmaterial stehen bleibt. Diese gitterartige Struktur erstreckt sich vorzugsweise von der Oberfläche des Halbleitersubstrats in die Tiefe. Wahlweise vor oder nach der Anodisierung kann die Ätzmaske zur Erstellung der Vertiefungen entfernt werden. Zur Erzeugung des Hohlraums und der Membran in dem das Sensorelement bildenden Halbleitersubstrat wird eine Temperaturbehandlung durchgeführt.
PS 10 2004 043 357.7 - B81B 3/00. AT 08.09.2004; OT 09.03.2006; PT 22.10.2015. Anm.: Robert Bosch GmbH, 70469 Stuttgart, DE. Erf.: Benzel, Hubert, 72124 Pliezhausen, DE; Finkbeiner, Stefan, 72810 Gomaringen, DE, Illing, Matthias, 72127 Kusterdingen, DE, Schaefer, Frank, 72070 Tübingen, DE, Armbruster, Simon, 72762 Reutlingen, DE, Lammel, Gerhard, 72074 Tübingen, DE, Schelling, Christoph, 72762 Reutlingen, DE, Brasas, Joerg, 72141 Walddorfhäslach, DE.