Verfahren zum Bilden eines hoch auflösenden Musters
WP 11 2006 001 203.7 – B81C 1/00. AT 12.05.2006; OT 06.03.2008; PT 28.03.2013. Anm.: LG Chem. Ltd., Seoul, KR. Erf.: Shin, Dong-Youn, Daejeon, KR, Kim, Tae-Su, Daejeon, KR.
WP 11 2006 001 203.7 – B81C 1/00. AT 12.05.2006; OT 06.03.2008; PT 28.03.2013. Anm.: LG Chem. Ltd., Seoul, KR. Erf.: Shin, Dong-Youn, Daejeon, KR, Kim, Tae-Su, Daejeon, KR.