Reduzierung der Haftung von MEMS durch Einbringen einer Kohlenstoffbarriereschicht

EP 60 2013 012 672.0 - B81C 1/00. AT 09.12.2013; OT 25.06.2014; PT 12.10.2016. Anm.: Freescale Semiconductor, Inc., Austin, Tex., US. Erf.: Montez, Ruben B., Cedar Park, TX Texas 78613, US Steimle, Robert F., Austin, TX Texas 78737, US

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