Integrierte freigesetzte Balkenschichtstruktur, die in Gräben hergestellt ist und entsprechendes Herstellungsverfahren

EP 60 2004 039 849.7 – B81C 1/00. AT 19.11.2004; OT 29.06.2005; PT 31.10.2012. Anm. STMicroelectronics, Inc., Carrollton, US. Erf. McAlexander, Joseph C., Murphy Texas 75094, US, Blanchard, Richard A., Los Altos California 94024, US.

 

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