Plasmaunterstütztes ALD-Verfahren sowie Vorrichtung zur Bildung einer dünnen Schicht auf einem Substrat

PS 10 2011 104 132.3 – C23C 16/455. AT 14.06.2011; OT 29.11.2012; PT 29.11.2012. Anm.: Feddersen-Clausen, Oliver, 50939 Köln, DE. Erf.: Erfinder ist Anmelder.

Login

• Password vergessen

Noch kein Login?
Jetzt Abonnement abschließen und Zugriff auf Wissensdatenbanken und Premium-Inhalte erhalten.

Sie sind bereits registriert?
Als Benutzernamen verwenden Sie bitte Ihre E-Mail Adresse. Ihr Kennwort aus dem früheren WOMag-Online-Portal ist nicht mehr gültig. Bitte nutzen Sie die PASSWORT VERGESSEN Funktion damit Sie ein neues Passwort setzen können.

Verwandte Artikel

Weitere Unternehmen in der Prozesskette

Verwandte Normen

Verwandte Patente

• Maskierungstechnik bei elektrochemischem Strippen

• Neue ionische Flüssigkeiten

• Galvanisch beschichtetes Bauteil

• Hartbeschichtung und beschichtetes Bauteil

• PICVD-Beschichtung für Kunststoffbehälter

• Verfahren zur Herstellung von titanhaltigen Dünnfilmen mittels Atomschichtabscheidung mit Vorläufern auf Monocyclopentadienyl-Titanbasis

• Recycling-Verfahren von wertvollen Metallen aus Izo-Schrott

• Verfahren zum Beschichten der Gleitfläche eines Hochtemperaturelements

• Verfahren und Vorrichtung für die Innenbeschichtung von Hohlkörpern sowie Verwendung der Vorrichtung

• Herstellverfahren für eine Metallschicht sowie Herstellverfahren für ein laminiertes keramisches Elektronikbauelement

Links zu diesem Artikel

Werbepartner