Herstellungsverfahren für einen Hohlkanal auf der Oberfläche eines metallischen Substrats, und verwandte Artikel

EP 603 43 714.1 – C23C 14/00. AT 06.05.2003; OT 12.02.2004; PT 10.04.2013. Anm.: General Electric Co., Schenectady, US. Erf.: Lee, Ching-Pang, Cincinnati, Ohio 45243, US, Venkataramani, Venkat S., Clifton Park, New York 12065, US. Hasz, Wayne Charles, Pownal, Vermont 05261, US.