Verfahren zum stetigen oder sequentiellen Abscheiden einer dielektrischen Schicht aus der gasphase auf einem Substrat

PS 10 2011 113 751.7 - C23C 16/50. AT 19.09.2011; OT 21.03.2013; PT 01.09.2016. Anm.: HQ-Dielectrics GmbH, 89160 Dornstadt, DE. Erf.: Gschwandtner, Alexander, Dr., 80687 München, DE.

Login

• Password vergessen

Noch kein Login?
Jetzt Abonnement abschließen und Zugriff auf Wissensdatenbanken und Premium-Inhalte erhalten.

Sie sind bereits registriert?
Als Benutzernamen verwenden Sie bitte Ihre E-Mail Adresse. Ihr Kennwort aus dem früheren WOMag-Online-Portal ist nicht mehr gültig. Bitte nutzen Sie die PASSWORT VERGESSEN Funktion damit Sie ein neues Passwort setzen können.

Verwandte Artikel

Weitere Unternehmen in der Prozesskette

Verwandte Normen

Verwandte Patente

• Organotitanvorläufer, Herstellungsverfahren dafür und Verfahren zur Herstellung von Material und/oder Verbundmaterial damit

• Verfahren zur Beschichtung von metallischen Oberflächen mit einer silanreichen Zusammensetzung

• Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines biokorrodierbaren Implantats und nach dem Verfahren erhaltenes Implantat

• Galvanisierungsbad aus zinnhaltiger Legierung, Galvanisierungsverfahren damit und Basis mit darauf abgeschiedenem galvanisiertem Material

• Verfahren zum Beschichten einer Turbinenschaufel einer Gasturbine

• Verfahren zur Herstellung eines galvanischen Überzugs auf der Oberfläche eines Gegenstands

• Verschleißteil aus Sinterkarbid und Läppverfahren

• Beschichtung auf Basis von diamantähnlichem Kohlenstoff

• Spritzpulver mit einer superferritischen Eisenbasisverbindung, sowie ein Substrat, insbesondere Bremsscheibe mit einer thermischen Spritzschicht

• Verfahren zur Herstellung hydrophober und oleophober Beschichtungen auf metallischen Substraten

Links zu diesem Artikel

Werbepartner