Photoelektrode mit einer Schutzschicht

GM 20 2013 011 997.7 – C25B 11/00. AT 20.09.2013; ET 19.01.2015; PT 26.02.2015. Anm.: Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH, 14109 Berlin, DE.

Login

• Password vergessen

Noch kein Login?
Jetzt Abonnement abschließen und Zugriff auf Wissensdatenbanken und Premium-Inhalte erhalten.

Sie sind bereits registriert?
Als Benutzernamen verwenden Sie bitte Ihre E-Mail Adresse. Ihr Kennwort aus dem früheren WOMag-Online-Portal ist nicht mehr gültig. Bitte nutzen Sie die PASSWORT VERGESSEN Funktion damit Sie ein neues Passwort setzen können.

Verwandte Artikel

Weitere Unternehmen in der Prozesskette

Verwandte Normen

Verwandte Patente

• Verfahren zum galvanischen Beschichten von Trägerteilen aus Kunststoffen

• Verwendung von KrF-Excimerlasern zur Laserpulsabscheidung und zur Spannungsreduzierung von dünnen Schichten

• Hafnium- und Zirkonvorläufer vom Cyclopentadienyltyp und ihre Verwendung bei der Atomlagenabscheidung

• Beschichtungsverfahren

• Verfahren zur Herstellung eines gedruckten Bilds

• In hohem Maße elektrisch leitfähige Oberflächen für elektrochemische Anwendungen

• Verfahren und Anlage zur gleichzeitigen Ablagerung von Filmen auf beiden Seiten eines Substrats

• Verfahren zur Herstellung von Werkstücken und Gerät

• Selbstreinigender Artikel und Verfahren zur seiner Herstellung

• MEMS-Bauelemente und Verfahren zur Herstellung derselben

Links zu diesem Artikel

Werbepartner