Substrat mit einer Kupfer enthaltenden Beschichtung und Verfahren zu deren Herstellung mittels Atomic Layer Deposition und Verwendung des Verfahrens
Beschreibung: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines beschichteten Substrats mit einer Beschichtung aus Kupfer bzw. einer Kupfer enthaltenden Beschichtung mittels Atomlagenabscheidung (ALD). Hierfür wird als Kupfer-Precursor ein Fluor-freier Kupfer (I)-Komplex der Formel $I1 eingesetzt, bei dem L ein σ-Donor-π-Akzeptor oder ein σ,π-Donor-π-Akzeptor Ligand ist und bei dem $I2 ein zweizähniger Ligand ist, nämlich ein β-Diketonat, ein β-Ketoiminat, ein β-Diiminat, ein Amidinat, ein Carboxylat oder ein Thiocarboxylat.
PS 10 2007 058 571.5 – C23C 16/18. AT 05.12.2007; OT 10.06.2009; PT 16.02.2012. Anm.: Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., 80686 München, DE; Technische Universität Chemnitz, 09111 Chemnitz, DE. Erf.: Thomas, Prof. Geßner, 09113 Chemnitz, DE, Stefan, Dr.-Ing. Schulz, 09120 Chemnitz, DE, Thomas, Dipl.-Ing. Wächtler, 09573 Dittmannsdorf, DE, Heinrich, Prof. Dr. Lang, 09125 Chemnitz, DE, Alexander, Dipl.-Chem. Jakob, 08132 Mülsen, DE.