Plasma-unterstütztes chemisches Gasabscheidungs-Verfahren mit erhöhter Plasmadichte

PS 10 2012 209 650.7 – C23C 16/50. AT 08.06.2012; OT 12.12.2013; PT 23.10.2014. Anm.: Schunk Kohlenstofftechnik GmbH, 35452 Heuchelheim, DE. Erf.: Reynvaan, Jakob, 8020 Graz, AT, Grünwald, Johannes, 5660 Taxenbach, AT.

Login

• Password vergessen

Noch kein Login?
Jetzt Abonnement abschließen und Zugriff auf Wissensdatenbanken und Premium-Inhalte erhalten.

Sie sind bereits registriert?
Als Benutzernamen verwenden Sie bitte Ihre E-Mail Adresse. Ihr Kennwort aus dem früheren WOMag-Online-Portal ist nicht mehr gültig. Bitte nutzen Sie die PASSWORT VERGESSEN Funktion damit Sie ein neues Passwort setzen können.

Verwandte Artikel

Weitere Unternehmen in der Prozesskette

Verwandte Normen

Verwandte Patente

• Verfahren zur Herstellung eines Kupferfilms

• Wässrige Lösung zur Metalloberflächenbehandlung und Verfahren zur Hemmung von Whiskern auf einer Metalloberfläche

• Legierungsgegenstand für hohe Temperatur mit einem diskreten Zusatz-Schutzüberzug

• Verfahren zur Herstellung einer Form und Verfahren zur Herstellung eines Antireflexionsfilms unter Verwendung der Form

• Verbrennungsturbinenbauteil mit Seltenerdmetall-Nicral-Beschichtung und zugehörige Verfahren

• Alkalischer Ätzprozess und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens

• Verfahren zur Darstellung nanokristalliner oder nanokristallithaltiger Metalloxid- und Metallmischoxidschichten auf sperrschichtbildenden Metallen

• Verfahren zum Diffusionsverzinken

• Entgasungsverfahren zur Prüfung einer beschichteten Oberfläche

• Verfahren zum Ätzen von Metallen, ausgewählt aus Nickel, Chrom, Nickel-Chrom-Legierungen und/oder Palladium

Links zu diesem Artikel

Werbepartner