Sputtern

Beim Sputtern erfolgt die physikalische Beschichtung in vergleichbaren Einrichtungen wie das Bedampfen im Vakuum, aber mit Unterstützung eines elektrischen Feldes. Das zu verdampfende Material wird im Vakuum ionisiert, indem eine hohe Spannung zwischen der Quelle und einem Gitter in der Nähe der Quelle angelegt wird (z.B. 500 bis 1000 V). Durch die angelegte Spannung können die in die Gasphase beförderten und ionisierten Beschichtungsmaterialien in ihrer Bewegung gesteuert werden. Durch Einsatz des Gitters als Gegenpol erfolgt zwischen Verdampfungsquelle (Target) und Gitter die Beschleunigung der Ionen, die anschließend weiter auf das eigentliche, zu beschichtende Grundmaterial auftreffen und dort die Beschichtung bilden. Die Beschichtungsgeschwindigkeit sowie der mikrokristalline Aufbau der Schicht können durch Anlegen einer weiteren elektrischen Spannung zwischen dem zu beschichtenden Grundwerkstoff und dem Gitter oder dem Target beeinflusst werden. Des Weiteren wird die Art der Beschichtung durch zugegebene gasförmige Komponenten variiert. So werden beispielsweise durch Verdampfen von Titan und gezielte Zugabe von Stickstoff in die Vakuumkammer Titannitridschichten erzeugt.

Aufbau einer PVD-Kammer für das Magnetronsputtern beziehungsweise das reaktive Sputtern / Bildquelle: M. Kommer

Links zu diesem Artikel

Verwandte Artikel

Weitere Unternehmen in der Prozesskette

Verwandte Normen

Verwandte Patente