Verfahren zum Abscheiden einer Ge-Sb-Te-Dünnschicht

Beschreibung: Es wird ein Verfahren des Abscheidens einer Ge-Sb-Te-Dünnschicht bereitgestellt mit: einem Ge-Sb-Te-Dünnschicht-Bildungsschritt des Zuführens und Abführens einer ersten Vorstufe, die irgendeines von Ge, Sb und Te enthält, einer zweiten Vorstufe, die ein anderes von Ge, Sb und Te enthält, und einer dritten Vorstufe, die das eine weitere von Ge, Sb und Te enthält, in und aus einer Kammer, in der ein Wafer befestigt ist, und des Bildens der Ge-Sb-Te-Dünnschicht auf dem Wafer; sowie einem Reaktionsgaszuführschritt des Zuführens eines Reaktionsgases während irgendeine der ersten bis dritten Vorstufe zugeführt wird.

PS 10 2006 038 885.2 – C23C 16/455. AT 18.08.2006; OT 01.03.2007; PT 10.10.2013. Anm.: Wonik IPS Co., Ltd., Pyeongtaek-Si, KR. Erf.: Lee, Jung-Wook, Pyungtaek, KR, Cho, Byung-Chul, Pyungtaek, KR, Lee, Ki-Hoon, Pyungtaek, KR, Seo, Tae-Wook, Pyungtaek, KR.