Verfahren und Vorrichtung zur Metallabscheidung durch stromloses Plattieren unter Anwendung eines Aktivierungsschemas mit einem Substraterwärmungsprozess

In einer verbesserten Technik für die stromlose Metallabscheidung wird das Substrat auf oder über die Betriebstemperatur für die spezifische Plattierungslösung erwärmt, während die Plattierungslösung auf einer nicht kritischen geringen Temperatur verbleibt, um damit im Wesentlichen eine spontane Selbstzersetzung in der Plattierungsanlage zu verhindern. Somit können deutliche Vorteile im Hinblick auf die Prozesssteuerung und die Betriebskosten erreicht werden.

PS 10 2005 009 072.9 - C23C 18/54. AT 28.02.2005; OT 07.09.2006; PT 08.12.2016. Anm.: Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale, Calif., US. Erf.: Nopper, Markus, 01129 Dresden, DE Preusse, Axel, 01445 Radebeul, DE Bonkass, Matthias, 01139 Dresden, DE

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