Anodisierverfahren und Behandlungsvorrichtung hierfür

WP 602 42 150.0 – C25D 11/02. AT 10.12.2002; OT 03.07.2003; PT 01.02.2012. Anm.: Hideo Yoshida, Tokio/Tokyo, JP. Erf.: Sone, Masato, Koganei-shi, Tokyo 184-0004, JP, Abe, Kentaro, c/o YP System Corporation, Higashimurayama-shi, Tokyo 189-0003, JP, Yoshida, Hideo, Higashimurayama-shi, Tokyo 189-0003, JP.

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