Herstellungsverfahren für MOEMS-Vorrichtung mit ausgerichteten Strukturen in zwei Ebenen

WP 60 2009 021 365.2 – B81C 1/00. AT 24.05.2009; OT 02.12.2010; PT 08.01.2014. Anm.: STMicroelectronics International N.V., Schipol Airport, NL. Erf.: Chaviv, Pinchas, 45287 Hod-HaSharon, IL, Fein, Yaron, 76035 Rehovot, IL, Medina, Moshe, 34792 Haifa, IL.