Aufsputterverfahren und Chip

PS 10 2009 009 275.7 – C23C 14/34. AT 17.02.2009; OT 10.09.2009; PT 25.10.2012. Anm.: Infineon Technologies AG, 85579 Neubiberg, DE. Erf.: Martin Sporn, Villach, AT.

Beschreibung:

Gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung umfasst ein Aufsputterverfahren ein Bereitstellen eines Sputtergases, das Krypton oder Xenon umfasst, und ein Beschleunigen von Ionen eines Plasmas des Sputtergases hin zu einem Zielmaterial.

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