Anordnung zum chemisch-mechanischen Polieren mit einem verbesserten Konditionierwerkzeug
PS 102 61 465.2 – B24B 53/017. AT 31.12.2002; OT 22.07.2004; PT 21.03.2013. Anm.: Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale, US. Erf.: Kuhn, Matthias, 01108 Dresden, DE,
Beschreibung:
Eine Anordnung und ein Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren eines Substrats, wo ein Polierpad konditioniert wird, indem ein Fluidstrahl auf die Oberfläche des Polierpads gerichtet wird, wird offenbart. Dadurch kann die Verwendung teurer Verschleißteile wie Konditionierpads mit Diamanten vermieden werden. Außerdem wird das Risiko vermieden, dass Substrate durch Diamanten, die vom Konditionierpad verloren werden, verkratzt werden.