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Gravitationsgestützte galvanische Abscheidung zur Erzeugung dreidimensional kristallin strukturierter Oberflächen

Mit dem Verfahren der gravitationsgestützten galvanischen Abscheidung lassen sich dreidimensional ausgeprägte Metallschichten ohne Zuhilfenahme von Masken in einer speziellen Zelle herstellen. Dabei wird die Verarmung des Elektrolyten an Metallionen an der Abscheidefront durch eine schwenkbare Zelle verringert. Mit dieser Technik konnten positive Ergebnisse mit Flip-Chip-Verbindungen erzielt werden, wodurch für das Stapeln gedünnter Chips im Waferverbund deutliche Vorteile erreicht werden.

Gravitation-Enhanced Electrodeposition to form Three-Dimensional Crystalline Structured Surfaces

Using the process known as gravitation-enhanced electrodeposition, structured metal layers can be formed without the use of masks in a specially designed cell. In this process, the depletion of metal ions at the deposition interface is avoided, by use of a rocking cell. Using this technology, encouraging results were obtained for Flip-Chip bonding, bringing advantages in the production of stacked, thinned chips in a wafer assembly.

Fähigkeiten

Substratmaterial


Schichtmaterial


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