Kupfergalvanisierungszusammensetzung und Verfahren zum Füllen eines Hohlraums in einem Halbleitersubstrat mithilfe dieser Zusammensetzung

WP 60 2011 030 747.9 - C25D 3/38. AT 09.06.2011; OT 15.12.2011; PT 28.09.2016. Anm.: Aveni, Massy, FR. Erf.: Frederich, Nadia, F-13530 Trets, FR Raynal, Frédéric, F-75012 Paris, FR Gonzalez, José, F-75019 Paris, FR