Verwendung von KrF-Excimerlasern zur Laserpulsabscheidung und zur Spannungsreduzierung von dünnen Schichten

Beschreibung: Die Erfindung betrifft Verfahren und Vorrichtungen zur Spannungsreduzierung in dünnen Schichten. Dazu wird vorteilhafterweise die auf einem Substrat abgeschiedene wenigstens eine Schicht oder Subschicht während kurzzeitiger Unterbrechungen des Beschichtungsprozesses oder die auf einem Substrat aufwachsende Schicht alternierend zum Schichtbildungsprozess oder während des Schichtbildungsprozesses mit einem gepulsten Laserstrahls als Temperpuls oder mit mehreren gepulsten Laserstrahlen verschiedener Wellenlänge und Pulsdauer mit jeweils vorgegebener Energiefluenz und Pulswiederholfrequenz als Temperpulse bestrahlt. Dabei handelt es sich bevorzugt um solche Schichten, die durch Ablagerung von wenigstens einem vorzugsweise gepulsten Teilchenstrom auf einem Substrat im Vakuum gebildet werden. Bei der Beschichtung größerer Substrate erfolgt die Bestrahlung von lateralen Bereichen der Schicht. Die erfindungsgemäße Lösung bietet den besonderen Vorteil, dass die für den Spannungsabbau erforderlichen hohen Temperaturen durch die Pulsbestrahlung nur kurzzeitig im Bereich von wenigen Mikrosekunden und wegen der geringen Energiedissipation durch Wärmeleitung vorzugsweise nur in einem Schichtoberflächenbereich geringer Dicke erzeugt werden.

PS 103 19 206.9 – C23C 16/56. AT 25.04.2003; OT 11.11.2004; PT 14.08.2013. Anm.: LIM Laserinstitut Mittelsachsen GmbH, 09648 Mittweida, DE. Erf.: Reiße, Günter, 09117 Chemnitz, DE, Rost, Dirk, 09337 Callenberg, DE, Weißmantel, Steffen, 09117 Chemnitz, DE.

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