Dünnschichtherstellungsverfahren mit atomarer Schichtabscheidung
Beschreibung: Die Erfindung bezieht sich auf ein Dünnschichtherstellungsverfahren unter Verwendung atomarer Schichtdeposition. Erfindungsgemäß wird auf einem Substrat durch Einleiten eines ersten Reaktanden in eine Reaktionskammer der erste Reaktand chemisch absorbiert, auf dem chemisch absorbierten ersten Reaktanden physikalisch absorbiertes erstes Reaktandenmaterial mittels Spülen oder Pumpen der Kammer entfernt, auf dem Substrat durch Einleiten des ersten Reaktanden in die Kammer selbiger dicht chemisch absorbiert, auf dem dicht chemisch absorbierten ersten Reaktanden physikalisch absorbiertes erstes Reaktandenmaterial mittels Spülen oder Pumpen der Kammer entfernt, ein zweiter Reaktand durch Einleiten desselben in die Kammer chemisch auf der Substratoberfläche absorbiert, darauf physikalisch absorbiertes zweites Reaktandenmaterial entfernt und eine feste Dünnschicht unter Verwendung eines chemischen Austauschs durch dichtes Absorbieren des erneut in die Kammer eingeleiteten zweiten Reaktanden gebildet. Verwendung z. B. zur Herstellung dünner Schichten in Halbleiterbauelementen, Flüssigkristall- und Elektrolumineszenzanzeigen.
PS 198 53 598.8 – C23C 16/44. AT 20.11.1998; OT 10.02.2000; PT 18.04.2013. Anm.: Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon-si, KR. Erf.: Kim, Yeong-kwan, Kyungki, KR, Lee, Sang-in, Suwon, KR, Park, Chang-soo, Suwon, KR, Lee, Sang-Min, Seoul/Soul, KR.