NexWafe GmbH – Fraunhofer ISE startet neue Ausgründung

ProConCVD Anlage zur Herstellung von epitaktischen Wafern mittels Epitaxie. / Bildquelle: Fraunhofer ISE

Für den globalen Photovoltaik-Markt wird 2015 ein Wachstum von 25 % prognostiziert. Ähnlich hohe Zuwachsraten werden für die darauffolgenden Jahre vorhergesagt. Dieses starke Marktwachstum basiert auf den schon drastisch gesunkenen Preisen für PV-Module und dem immer noch hohen Kostensenkungspotenzial entlang der ganzen Wertschöpfungskette. Die Industrie braucht jedoch neue, bahnbrechende Technologien um den Modulwirkungsgrad zu steigern und den Material- und Energieverbrauch in der Produktion weiter zu reduzieren.

Vor diesem Hintergrund gibt das Fraunhofer ISE die Gründung eines neuen Spin-Offs bekannt: Die NexWafe GmbH wird den am Fraunhofer ISE entwickelten Herstellungsprozess für epitaktisch gewachsene Wafer (kerfless wafer-Technologie) in die Produktion transferieren. Gründer und CEO des Unternehmens ist Dr. Stefan Reber, zuvor Abteilungsleiter Kristallines Silicium – Materialien und Dünnschichtsolarzellen am Fraunhofer ISE. Die Ausgründung wird von Fraunhofer Venture mit einer Anschubfinanzierung unterstützt.

NexWafe adressiert den mehrere Milliarden großen Markt für hochwertige Wafer. Das Unternehmen wird epitaktisch gewachsene monokristalline Siliciumwafer liefern, die mit der hochinnovativen Technologie hergestellt werden, welche in den letzten fünfzehn Jahren entwickelt wurde. Die kerfless wafer-Technologie basiert auf einem Epitaxieprozess und kann das konventionelle Herstellen und Sägen der Blöcke in der Waferfertigung für Siliciumsolarzellen direkt ersetzen.

Dr. Stefan Reber und sein Team am Fraunhofer ISE haben einen zuverlässigen epitaktischen Wachstumsprozess für kristalline Siliciumschichten speziell für die Photovoltaik entwickelt. Im Zentrum des Verfahrens steht die chemische Gasphasenabscheidung bei Atmosphärendruck (atmospheric pressure chemical vapor deposition, APCVD) bei Temperaturen bis zu 1300 °C. Das Verfahren ist grundsätzlich aus der Mikroelektronik gut bekannt. Für PV-Anwendungen musste die Anlage jedoch an die notwendigen hohen Durchsätze radikal angepasst werden. Reber und sein 30-köpfiges Team haben dafür verschiedene Generationen von Abscheideanlagen entwickelt, von sehr flexiblen kleinen Laboraufbauten bis hin zu großen in-line Systemen mit mehreren Kammern, die ein kontinuierliches Abscheiden von p- und n-dotierten Epitaxie-Schichten ermöglichen. Die jüngste Entwicklung, der so genannte ProConCVD Reaktor, wurde für hohe Durchsätze ausgelegt, wie sie in der industriellen Fertigung benötigt werden, und demonstriert hochwertige Silicium-Epitaxie zu geringen Kosten.

http://www.nexwafe.com

http://www.ise.fraunhofer.de