Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 21: Prüfverfahren zur Querkontraktionszahl von Dünnschichtwerkstoffen der Mikrosystemtechnik (IEC 62047-21:2014); Deutsche Fassung EN 62047-21:2014

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 21: Test method for Poisson's ratio of thin film MEMS materials (IEC 62047-21:2014); German version EN 62047-21:2014

Einführungsbeitrag: Dünnschicht-Werkstoffe werden als Hauptbestandteil von MEMS-Bauteilen und Mikromaschinen verwendet und können auf unterschiedlichen Trägern (Substraten) aufgebracht werden. Die Dünnschichtbestandteile Mikrosystemtechnischer Bauelemente werden meist mittels Dampfabscheidung oder mithilfe nichtmechanischer Verfahren, einschließlich der Fotolithografie, hergestellt. Ein wesentlicher charakteristischer Kennwert für derartige Dünnschichtwerkstoffe ist die Querkontraktionszahl (Poissonzahl), die bei diversen Prüfungen zu ermitteln ist. In diesem Teil der DIN EN 62047 ist ein Verfahren zur Bestimmung der Querkontraktionszahl (Poissonzahl) auf der Grundlage von Messwerten festgelegt, die erhalten werden, wenn einachsige (uniaxiale) und zweiachsige (biaxiale) Beanspruchungen auf Dünnschichtwerkstoffe der Mikrosystemtechnik mit Längen sowie Breiten kleiner 10 mm und Dicken kleiner als 10 µm ausgeübt werden. Das Dokument legt sowohl die Anforderungen an das zu bewertende Prüfstück und die Messeinrichtung wie auch für das Prüfverfahren selbst fest. Es werden zwei unterschiedliche Arten des Prüfstücks festgelegt, mit der die Querkontraktionszahl entweder über eine uniaxiale Zug-Prüfeinrichtung oder über eine Bulge-Prüfeinrichtung ermittelt werden kann. Für beide Arten der Ermittlung sind im Anhang der Norm Berechnungsbeispiele angegeben. Zuständig ist das DKE/K 631 "Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE.

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