Literaturstelle zur Suche nach ""
Ultradünne Siliziumdioxidschichten auf Silizium: Grenzflächenoptimierung und -charakterisierung auf atomarer Skala
Ein neuartiger und leistungsfähiger Prozesszyklus wird vorgestellt, der die Optimierung und Analyse der Grenzflächeneigenschaften von ultradünnen SiO2-Schichten auf Silizium auf atomarer Skala ermöglicht. Aus diesen Ergebnissen ergibt sich direkter Zugang zu einem tieferen Verständnis der Zusammenhänge zwischen Präparationsbedingungen und zugrundeliegender fundamentaler Prozesse. Damit verbunden ist eine Optimierung der Eigenschaften von vielfältigen Si/SiO2-basierten nanotechnologischen Bauelementen, was im Zuge der anhaltenden Miniaturisierung bei zugleich steigenden Ansprüchen an die Leistungsfähigkeit unumgänglich ist.
Galvanotechnik, 101 (2010)10, S. 2376-2385, 9 Abb., 27 Lit.-Hinw. Stegemann, B.
Ultra-Thin Silicon Dioxide Layers on Silicon: Interface Optimisation and Characterisation at the Atomic Level
A novel process, for use on a production scale, is reported which allows the optimisation and analysis of ultra-thin interfacial properties of ultra-thin SiO2 to be controlled and characterised at an atomic level. These results provide a greatly improved insight into the correlation between conditions of preparation and the fundamentals of the process. This, in turn, allows optimisation of the Si/SiO2 interface, to meet increasingly demanding performance requirements. So widely used are nanotechnological assemblies, in line with increasing miniaturisation, that this technology is now virtually mandatory.
