Neues Anlagenkonzept für nasschemische Ätzprozesse und die Wafergalvanoformung
Zur Untersuchung der Strukturierung von Wafern wurde eine Prozesseinheit zur bruchsicheren Aufnahme von Siliziumwafern mit Durchmessern zwischen zwei und acht Zoll entwickelt. Die Einheit kann relativ einfach und mit hoher Sicherheit für die handhabenden Personen mit den unterschiedlichsten Medien zum Ätzen oder galvanotechnischen Aufbau betrieben werden. Die Anordnung ermöglicht zudem die gezielte Beeinflussung der Strömung im Prozessraum vor der Waferoberfläche. Die Möglichkeiten zur Untersuchung werden an der Nickel- und Kupferabscheidung zur Herstellung von Strukturen aufgezeigt.
Galvanotechnik, 100 (2009)11, S. 2616-2624, 8 Abb., 12 Lit.-Hinw. Guttmann, M.; Kaiser, K.; Muth, St.; Moritz, H.; Schmidt, R.; Zwanzig, M.; Hofmann, L.; Schubert, I.
New Plant Designs for Aqueous Etching and Electroforming of Wafers
In order to carry out a study of wafer patterning, equipment was developed for safe handling of silicon wafers from 2 to 8 inch diameters. The unit can be safely and relatively straightforwardly operated by personnel, using a wide range of etchants and electrochemical deposition processes. The design also allows the effects of electrolyte flowrate in the process chamber confronting the silicon wafer, to be assessed. These features were utilised to study copper and nickel electrodeposition to pattern the wafer surface.
Galvanotechnik, 100 (2009)11, S. 2616-2624, 8 Abb., 12 Lit.-Hinw. Guttmann, M.; Kaiser, K.; Muth, St.; Moritz, H.; Schmidt, R.; Zwanzig, M.; Hofmann, L.; Schubert, I.
