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Charakterisierung von Dünnschichtsolarzellen

Dünnschichtsolarzellen stehen derzeit im Mittelpunkt der Entwicklungen im Bereich der Photovoltaik. Gegenüber den bisher üblichen Zellen auf Basis von Silizium zeichnen sich Dünnschichtzellen unter anderem durch einen geringen Verbrauch an Rohstoffen und eine größere Ausführungsvielfalt aus. Zudem ist der Wirkungsgrad beispielsweise bei Multiübergangszellen aus Gallium-Indium-Phosphor oder Gallium-Indium-Arsen mit mehr als 40 % der derzeitige Rekord. Allerdings erfordert die Charakterisierung von Solarzellen den Einsatz von unterschiedliche Methoden, wie Strom-Spannungs-Kennlinien, Elektro- und Photolumineszenzanalyse, Röntgendiffraktometrie, Oberflächenspektrometrie oder Elektronenmikroskopie.

Characterisation of Thin Film Solar Cells

Thin film solar cells are currently at an intermediate stage of development in photovoltaic technology. Compared with the silicon cells which at present dominate the market, thin film cells promise a much smaller use of raw materials and scope for a much wider range of configurations. In addition, their efficiency, for example with multi-pass cells using gallium-indium-phosphorus or gallium-indium-arsenic, can exceed 40 %, the highest figure so far recorded. To characterise such cells, a range of techniques are used, including their current-voltage performance, their electro- and photoluminescence behaviour, X-ray diffraction, surface spectroscopy and electron microscopy.

Fähigkeiten

Substratmaterial


Schichtmaterial

Gallium, Indium, Arsen
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