Kategorien

ALD-Abscheidung

2018-07-29T21:27:30

Bei der Atomlagenabscheidung (atomic layer deposition – ALD) werden Schichten in Atomstärke aufgebracht. Die Abscheidung erfolgt aus der Gasphase, in dem im ersten Schritt ein Reaktionsausgangsstoff an der zu beschichtenden Oberfläche angelagert wird und in einem zweiten Schritt durch Zugabe eines Reaktionsstoffes daraus das Schichtmaterial erzeugt wird. Dieser Prozess kann wiederholt werden, wobei die Schicht bei jedem Durchgang um eine Atomlage wächst. Damit ist die Technologie zur Herstellung von außerordentlich genauen Schichtdicken geeignet. Darüber hinaus findet die Abscheidung aufgrund des gasförmigen Ausgangs- und Reaktionsstoffes auf der gesamten zugänglichen Oberfläche eines Grundwerkstoffes statt und die Schicht bildet die Oberfläche absolut konturgetreu ab. Die Schicht ist zudem vollkommen porenfrei. Angewandt wird das Verfahren zum Auftragen von Aluminium auf beliebigen Grundwerkstoffen, wobei die Abscheidegeschwindigkeit sehr gering und damit vorzugsweise für Schichtdicken unter einem Mikrometer sinnvoll ist.

ALD erreicht eine außerordentliche gute Streuung; Beispiel Aluminiumbeschichtung (Quelle: J. Geng)

Prozessstufen bei der ALD-Beschichtung, zur Herstellung je einer Lage (Quelle: J. Geng)